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रूसी वैज्ञानिकों ने सिलिकॉन के साथ प्रकाश के "दोस्त बनाने" में कामयाबी हासिल की, नई पीढ़ी के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के युग को एक कदम करीब लाया

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रूसी भौतिकविदों के एक समूह ने सिलिकॉन पर शक्तिशाली फोटॉन स्रोतों के उत्पादन के लिए एक नई विधि विकसित की है। भविष्य में, यह खोज चिप्स के संचालन को वर्तमान से फोटॉन तक पुन: उन्मुख करना संभव बना सकती है, जबकि ऐसे सर्किट के संचालन की गति चिप्स के बिल्कुल न्यूनतम हीटिंग के साथ "प्रकाश" गति के बराबर हो जाएगी।

सिलिकॉन फोटोनिक क्रिस्टल परत की आंतरिक संरचना। छवि स्रोत: स्कोल्टेक
सिलिकॉन फोटोनिक क्रिस्टल परत की आंतरिक संरचना। छवि स्रोत: स्कोल्टेक
सिलिकॉन फोटोनिक क्रिस्टल परत की आंतरिक संरचना। छवि स्रोत: स्कोल्टेक

सिलिकॉन और उसका शोधन

जैसा कि आप जानते हैं, मानक परिस्थितियों में सिलिकॉन (वर्तमान में चिप्स और अर्धचालक के उत्पादन के लिए मुख्य सामग्री) फोटॉनों को अवशोषित करता है और अनिच्छा से उत्सर्जित करता है।

उसी समय, आधुनिक उत्पादों में, क्रिस्टल में तत्वों की व्यवस्था का घनत्व इतना अधिक होता है कि विद्युत धारा के पारित होने के दौरान निकलने वाली गर्मी चिप्स का संचालन समय पहले से ही काफी गंभीरता से microcircuits के प्रदर्शन में वृद्धि के साथ हस्तक्षेप करता है, और अन्य संबंधित के एक समूह को भी उत्तेजित करता है समस्या।

इसलिए, फोटॉन का उपयोग करके डेटा स्ट्रीम के प्रसारण के लिए संक्रमण इस समस्या को मौलिक रूप से हल करने में काफी सक्षम है, लेकिन अभी तक किसी ने भी उस दिशा में स्वीकार्य तकनीकी समाधान प्रस्तावित नहीं किया है।

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रूसी वैज्ञानिक सिलिकॉन और फोटॉन के बीच "दोस्त बनाने" में सफल रहे, और इसी तरह उन्होंने ऐसा किया।

वैज्ञानिकों का सफल प्रयोग

इंजीनियरों ने सिलिकॉन संरचना में जर्मेनियम नैनोडॉट्स पेश करने का फैसला किया और सबसे महत्वपूर्ण बात यह है कि इंजीनियरों ने सीधे सिलिकॉन सतह पर एक विशेष फोटोनिक क्रिस्टल बनाने में भी कामयाबी हासिल की।

मूल विचार यह था कि एक फोटोनिक क्रिस्टल एक नैनोडॉट के पास एक गुंजयमान यंत्र का निर्माण करेगा और इस प्रकार कार्य करेगा इसी बिंदु से उत्सर्जित फोटॉनों के प्रवाह के कई एम्पलीफायर, और यह कामकाज के लिए काफी पर्याप्त होना चाहिए विद्युत सर्किट।

सिलिकॉन फोटोनिक क्रिस्टल परत (बाएं), इसके आइजेनमोड (केंद्र) और इसके उत्सर्जन स्पेक्ट्रम (दाएं)। छवि स्रोत: स्कोल्टेक
सिलिकॉन फोटोनिक क्रिस्टल परत (बाएं), इसके आइजेनमोड (केंद्र) और इसके उत्सर्जन स्पेक्ट्रम (दाएं)। छवि स्रोत: स्कोल्टेक

स्कोल्टेक पोर्टल पर एक प्रेस विज्ञप्ति के अनुसार, एक निरंतरता में परस्पर जुड़े राज्यों का विचार क्वांटम यांत्रिकी से लिया गया था।

इस मामले में, गुंजयमान यंत्र के क्षेत्र में फोटॉनों का बंधन इस तथ्य के कारण संभव है कि गुंजयमान यंत्र में विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र की समरूपता बाहरी अंतरिक्ष की विद्युत चुम्बकीय तरंगों की समरूपता के साथ मेल नहीं खाती है।

तो, एक और प्रयोग के दौरान, वैज्ञानिकों ने चमक की तीव्रता में वृद्धि हासिल की है लगभग सौ बार, और यह सीएमओएस संगत में जाने के संभावित तरीकों में से एक को खोलता है ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक सर्किट।

वैज्ञानिकों ने प्रयोग के परिणामों को लेजर और फोटोनिक्स समीक्षा पोर्टल के पन्नों पर साझा किया।

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